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SI4174DY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:17A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：笔记本电脑 CPU 核心。 高端开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4174DY-T1-GE3
- 商品编号
- C144929
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 985pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
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