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IL206AT实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IL206AT

带基极连接的光电晶体管输出型光耦合器

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描述
IL205AT/IL206AT/IL207AT/IL208AT是由砷化镓红外LED和硅NPN光电晶体管组成的光耦合器对。该器件能够传输包含直流电平在内的信号信息,同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。该系列产品采用标准SOIC - 8A小外形表面贴装封装,非常适合空间有限的高密度应用
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IL206AT
商品编号
C144902
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.28克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录晶体管输出光耦
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.3V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)3kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压70V
属性参数值
输出通道数1
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV@2mA,10mA
工作温度-55℃~+100℃
电流传输比(CTR)最小值63%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值125%
总功耗(Pd)240mW
正向电流(If)60mA

商品概述

IL205AT/IL206AT/IL207AT/IL208AT是由砷化镓红外LED和硅NPN光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平在内的信号信息,同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。该系列采用标准SOIC - 8A小外形封装,适用于表面贴装,非常适合空间有限的高密度应用。除了无需通孔安装外,该封装还符合表面贴装器件的标准。 规定的最小和最大电流传输比(CTR)可使相邻电路的电气设计容差范围较窄。70 V的高集电极 - 发射极击穿电压(BVCEO)与行业标准的30 V相比,提供了更高的安全裕量。

商品特性

  • 高集电极 - 发射极击穿电压(BVCEO),70 V
  • 隔离测试电压,3000 VRMS
  • 行业标准SOIC - 8A表面贴装封装
  • 兼容双波峰焊、气相焊和红外回流焊

数据手册PDF

优惠活动

  • 9

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