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IRLR014TRPBF

1个N沟道耐压:60V 电流:7.7A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRLR014TRPBF
商品编号: C144919
商品封装: TO-252-2(DPAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.528克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和一流的易用性。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

商品特性

动态dV/dt额定值
表面贴装(IRLR014、SiHLR014)
直插引脚(IRLU014、SiHLU014)
提供卷带包装
逻辑电平栅极驱动
在VGS = 4 V和5 V下规定RDS(on)
快速开关
符合RoHS标准
无卤素

应用领域

-充电器中使用的反激式拓扑结构-适配器中使用的反激式拓扑结构-照明应用中使用的反激式拓扑结构

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	7.7A
	导通电阻(RDS(on))	200mΩ@5V
	耗散功率(Pd)	25W
	阈值电压(Vgs(th))	2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	8.4nC@5V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-