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IRLR014TRPBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:7.7A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRLR014TRPBF
- 商品编号
- C144919
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.528克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直插引脚版本(IRLU、SiHLU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 表面贴装(IRLR014、SiHLR014)
- 直插引脚(IRLU014、SiHLU014)
- 提供卷带包装
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4 V和5 V下规定RDS(on)
- 快速开关
- 符合RoHS标准
- 无卤素
应用领域
-充电器中使用的反激式拓扑结构-适配器中使用的反激式拓扑结构-照明应用中使用的反激式拓扑结构
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