SIB456DK-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:6.3A
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- 描述
- N沟道,100V,6.3A,0.185Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIB456DK-T1-GE3
- 商品编号
- C144888
- 商品封装
- PowerPAK-SC-75-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 13W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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