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SI1480DH-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:2.6A
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- 描述
- N沟道,100V,2.6A,0.2Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1480DH-T1-GE3
- 商品编号
- C144889
- 商品封装
- SC-70-6(SOT-363)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 130pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54pF |
商品概述
采用铜引脚框架的新型单通道 6 引脚 SC-70 封装与现有的采用 Alloy 42 引脚框架的 3 引脚和 6 引脚封装相比，可实现更低的导通电阻值和更出色的热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。该封装的器件具有多种导通电阻值，有 N 沟道和 P 沟道版本。
商品特性
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100%进行 Rq 和 UIS 测试
应用领域
-负载开关-DC/DC 转换器-电源管理-LED 背光
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