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SI7629DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:35A
- 描述
- 用于开关应用的 MOSFET 如今已问世，其芯片导通电阻约为 1 mΩ，可承受 85 A 的电流。PowerPAK 是一种解决这些问题的新型封装技术。PowerPAK 1212 - 8 在小尺寸封装中实现了超低热阻，非常适合空间受限的应用
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7629DN-T1-GE3
- 商品编号
- C143770
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.7mΩ@2.5V,35A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 适配器开关-电池开关-负载开关
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