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SI2333CDS-T1-E3
1个P沟道 耐压:12V 电流:7.1A
- 描述
- P沟道,-12V,-7.1A,0.035Ω@-4.5V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2333CDS-T1-E3
- 商品编号
- C144846
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.225nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 315pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-负载开关-功率放大器开关
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