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SI8817DB-T2-E1
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.1A
- 描述
- P沟道
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8817DB-T2-E1
- 商品编号
- C144866
- 商品封装
- X-FBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@1.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 615pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
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