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SI7212DN-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:4.9A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7212DN-T1-GE3
- 商品编号
- C143766
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 100%经过Rg测试
- 节省空间,针对快速开关进行优化
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 同步整流
- 中间驱动器
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