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SIA433EDJ-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 新型热增强型 PowerPAK SC-70 封装。 小封装面积。 低导通电阻。 100% Rg 测试。应用：便携式设备。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA433EDJ-T1-GE3
- 商品编号
- C143764
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 新型热增强型 PowerPAK SC-70 封装
- 占位面积小
- 低导通电阻
- 100% Rq 测试
- 内置齐纳二极管静电放电保护
- 典型静电放电性能:1800 V
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-便携式设备-负载开关-电池开关-充电器开关
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