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SIA433EDJ-T1-GE3

1个P沟道 耐压:20V 电流:12A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 新型热增强型 PowerPAK SC-70 封装。 小封装面积。 低导通电阻。 100% Rg 测试。应用：便携式设备。 负载开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIA433EDJ-T1-GE3
商品编号
C143764
商品封装
PowerPAK-SC-70-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.06克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))65mΩ@1.8V,2.5A
耗散功率(Pd)19W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)75nC@8V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)-

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