DG2535EDQ-T1-GE3
DG2535EDQ-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- DG2535EDQ-T1-GE3
- 商品编号
- C143765
- 商品封装
- MSOP-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 通道数 | 2 | |
| 工作电压 | 1.65V~5.5V | |
| 导通时间(ton) | 78ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 300mΩ | |
| 关闭时间(toff) | 60ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 导通电容(Con) | 120pF | |
| 带宽 | 120MHz |
商品概述
DG2535E和DG2733E是低压、低导通电阻的双单刀双掷(SPDT)单片CMOS模拟开关,专为高性能模拟信号切换而设计。DG2535E和DG2733E集低功耗、高速、低导通电阻和小封装尺寸等特性于一身,非常适合便携式和电池供电应用。 DG2535E和DG2733E的单电源工作范围为1.65 V至5.5 V。DG2535E有两个独立的控制引脚,可分别控制两个SPDT开关。DG2733E有一个使能(EN)引脚,逻辑高电平时使能器件。 DG2535E和DG2733E保证与1.65 V逻辑兼容,便于与低压DSP或MCU控制逻辑接口。 开关导通时,能在电源轨内双向同等良好地传导信号;关断时,可阻断高达电源电压的信号。保证先断后通。 DG2535E和DG2733E采用Vishay Siliconix的亚微米CMOS低压工艺技术制造,经JESD78A测试,可提供大于400 mA的闩锁保护。 DG2535E和DG2733E提供无铅10引脚DFN和SOIC封装。
商品特性
- 1.65 V至5.5 V单电源工作
- V+ = 5 V时,典型开关导通电阻为0.3 Ω
- 快速切换:2.7 V时,导通时间tON = 55 ns,关断时间tOFF = 15 ns
- 闩锁电流 > 400 mA(JESD78)
应用领域
- 音频和视频信号路由
- 电池供电系统
- 继电器替代
- 自动测试设备
- 过程控制与自动化
- 数据采集系统
- 仪表和仪器
- 医疗保健系统
- PCMCIA卡
- 通信系统
优惠活动
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