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DG2535EDQ-T1-GE3实物图
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DG2535EDQ-T1-GE3

DG2535EDQ-T1-GE3

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
DG2535EDQ-T1-GE3
商品编号
C143765
商品封装
MSOP-10​
包装方式
编带
商品毛重
0.057克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录模拟开关/多路复用器
开关电路2:1
通道数2
工作电压1.65V~5.5V
导通时间(ton)78ns
属性参数值
导通电阻(Ron)300mΩ
关闭时间(toff)60ns
工作温度-40℃~+85℃
导通电容(Con)120pF
带宽120MHz

商品概述

DG2535E和DG2733E是低压、低导通电阻的双单刀双掷(SPDT)单片CMOS模拟开关,专为高性能模拟信号切换而设计。DG2535E和DG2733E集低功耗、高速、低导通电阻和小封装尺寸等特性于一身,非常适合便携式和电池供电应用。 DG2535E和DG2733E的单电源工作范围为1.65 V至5.5 V。DG2535E有两个独立的控制引脚,可分别控制两个SPDT开关。DG2733E有一个使能(EN)引脚,逻辑高电平时使能器件。 DG2535E和DG2733E保证与1.65 V逻辑兼容,便于与低压DSP或MCU控制逻辑接口。 开关导通时,能在电源轨内双向同等良好地传导信号;关断时,可阻断高达电源电压的信号。保证先断后通。 DG2535E和DG2733E采用Vishay Siliconix的亚微米CMOS低压工艺技术制造,经JESD78A测试,可提供大于400 mA的闩锁保护。 DG2535E和DG2733E提供无铅10引脚DFN和SOIC封装。

商品特性

  • 1.65 V至5.5 V单电源工作
  • V+ = 5 V时,典型开关导通电阻为0.3 Ω
  • 快速切换:2.7 V时,导通时间tON = 55 ns,关断时间tOFF = 15 ns
  • 闩锁电流 > 400 mA(JESD78)

应用领域

  • 音频和视频信号路由
  • 电池供电系统
  • 继电器替代
  • 自动测试设备
  • 过程控制与自动化
  • 数据采集系统
  • 仪表和仪器
  • 医疗保健系统
  • PCMCIA卡
  • 通信系统

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