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SI4126DY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:39A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4126DY-T1-GE3
- 商品编号
- C143747
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.405nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 285pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 760pF |
优惠活动
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起订量：1 个2500个/圆盘
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