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SI4401BDY-T1-GE3实物图
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SI4401BDY-T1-GE3

1个P沟道 耐压:40V 电流:10.5A

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描述
特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI4401BDY-T1-GE3
商品编号
C143762
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.245克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)10.5A
导通电阻(RDS(on))21mΩ@4.5V,8.7A
耗散功率(Pd)2.9W
阈值电压(Vgs(th))3V@0.25mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)40nC@5V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)-

数据手册PDF

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