温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJ858AEP-T1_GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:58A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。AEC Q101认证。100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ858AEP-T1_GE3
- 商品编号
- C143688
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
相似推荐
其他推荐
- SI1411DH-T1-GE3
- SI7119DN-T1-E3
- SI2377EDS-T1-GE3
- SI8824EDB-T2-E1
- IRFR9214TRPBF
- SI4431CDY-T1-E3
- IRFI740GPBF
- SI1330EDL-T1-E3
- IRFR9110TRPBF
- SIA436DJ-T1-GE3
- SI7904BDN-T1-GE3
- SI4559ADY-T1-GE3
- SI6913DQ-T1-GE3
- SI4464DY-T1-GE3
- SI8424CDB-T1-E1
- SI4463BDY-T1-E3
- SI4459ADY-T1-GE3
- SI4948BEY-T1-E3
- IRFR9014TRPBF
- SI4126DY-T1-GE3
- SI7414DN-T1-GE3