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SI8824EDB-T2-E1
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.1A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8824EDB-T2-E1
- 商品编号
- C143703
- 商品封装
- X-FBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@1.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 超小尺寸,外形为0.8 mm × 0.8 mm
- 超薄高度,仅0.357 mm
- 典型静电放电(ESD)保护能力达2000 V(人体模型HBM)
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 超便携式和可穿戴设备
- 低压降负载开关
- 1.2 V、1.5 V和1.8 V电源线负载开关
- 小信号和高速开关
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