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SI7119DN-T1-E3实物图
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SI7119DN-T1-E3

1个P沟道 耐压:200V 电流:3.8A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：符合 IEC 61249-2-21 的无卤产品。 TrenchFET 功率 MOSFET。 低热阻 PowerPAK 封装，尺寸小，厚度低至 1.07 mm。 100% UIS 和 Rg 测试。应用：中间 DC/DC 电源中的有源钳位
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI7119DN-T1-E3
商品编号
C143691
商品封装
PowerPAK1212-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.176克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)3.8A
导通电阻(RDS(on))1.1Ω@6V,1A
耗散功率(Pd)52W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)666pF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-50℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)36pF

数据手册PDF

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