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IRL510PBF实物图
  • IRL510PBF商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRL510PBF

1个N沟道 耐压:100V 电流:5.6A

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描述
第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB 封装普遍适用于所有功率耗散水平约为 50 W 的商业-工业应用。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRL510PBF
商品编号
C143670
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
3.06克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)5.6A
导通电阻(RDS(on))760mΩ@4V,2.8A
耗散功率(Pd)43W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6.1nC@5.0V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)-

数据手册PDF

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