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SI4497DY-T1-GE3实物图
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SI4497DY-T1-GE3

1个P沟道 耐压:30V 电流:36A

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描述
特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% Rg 测试。 100% UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：适配器开关。 高电流负载开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI4497DY-T1-GE3
商品编号
C143044
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.245克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on))4.6mΩ@4.5V,29A
耗散功率(Pd)7.8W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)-

数据手册PDF

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