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SISA96DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISA96DN-T1-GE3
- 商品编号
- C143661
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 26.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.385nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 478pF |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 针对减少瞬态尖峰进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步降压转换器高功率密度DC/DC-电机驱动控制-电池管理-负载开关
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