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SI7615CDN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:35A
- 描述
- 特性：TrenchFET第二代P沟道功率MOSFET。RDS(on)额定值在VGS = -1.8V时。100% Rg和UIS测试。材料分类:有关合规性定义请参考相关文档。应用：移动设备中的电池管理。电池开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7615CDN-T1-GE3
- 商品编号
- C143662
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.3mΩ@1.8V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 111nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 425pF |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- VGS = -1.8 V时的RDS(ON)额定值
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 移动设备电池管理-电池开关-负载开关
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