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SI8472DB-T2-E1
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 超小尺寸，最大外形为1mm x 1mm。 超薄，最大高度为0.548mm。应用：基带开关。 DC/DC转换-升压转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8472DB-T2-E1
- 商品编号
- C143657
- 商品封装
- UFBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@1.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 超小外形尺寸，最大为1 mm x 1 mm
- 超薄设计，最大高度为0.548 mm
应用领域
- 基带开关-DC/DC转换-升压转换器-智能手机、便携式媒体播放器
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