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SI9933CDY-T1-GE3
2个P沟道 耐压:20V 电流:4A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI9933CDY-T1-GE3
- 商品编号
- C143653
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品特性
- 提供无卤选项
- 沟道型功率 MOSFET
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 负载开关
- DC/DC 转换器
- P 沟道 MOSFET
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