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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRLZ14SPBF

1个N沟道 耐压:60V 电流:10A

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描述
第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D2PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRLZ14SPBF
商品编号
C142638
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
管装
商品毛重
2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))280mΩ@4V,5A
耗散功率(Pd)43W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.4nC@5V
输入电容(Ciss)400pF
反向传输电容(Crss)42pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)170pF

数据手册PDF

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