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SUP53P06-20-E3
1个P沟道 耐压:60V
- 描述
- 特性：TrenchFET Power MOSFET。 100% UIS Tested。 无卤。应用：负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUP53P06-20-E3
- 商品编号
- C142597
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 负载开关
- P沟道MOSFET
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