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SISA04DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISA04DN-T1-GE3
- 商品编号
- C142571
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.595nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.04nF |
商品概述
N沟道30 V（D-S）MOSFET。PowerPAK 1212-8封装在小尺寸封装中提供超低热阻，非常适合空间受限的应用。PowerPAK 1212-8封装是PowerPAK SO-8的衍生产品，采用相同的封装技术，可最大化芯片面积。芯片贴装焊盘底部外露，为器件所安装的基板提供直接、低电阻的热通路。PowerPAK 1212-8的占位面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上，其芯片容量是标准TSOP-6的两倍多。它的热性能比SO-8好一个数量级，比TSSOP-8好20倍，优于市场上所有现有的表面贴装（SMT）封装。它能充分利用印刷电路板（PCB）的散热能力。与TSSOP-8相比，降低结温还能使芯片效率提高约20%。对于通常仅出于散热考虑而需要更大封装的应用，PowerPAK 1212-8是一个不错的选择。单通道和双通道PowerPAK 1212-8与单通道和双通道PowerPAK SO-8采用相同的引脚排列。PowerPAK封装高度仅1.05 mm，这两种版本都是空间受限应用的理想选择。
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 开关模式电源
- 个人计算机和服务器
- 电信模块电源
- 电压调节模块(VRM)和负载点电源(POL)
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