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SI8483DB-T2-E1
1个P沟道 耐压:12V 电流:16A
- 描述
- P沟道,-12V,-16A,0.026Ω@-4.5V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8483DB-T2-E1
- 商品编号
- C142558
- 商品封装
- BGA-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 92mΩ@1.5V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 13W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
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