温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2342DS-T1-GE3
1个N沟道 耐压:8V 电流:6A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟道,8V,6A,0.017Ω@4.5V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2342DS-T1-GE3
- 商品编号
- C142553
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@1.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 385pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET
- 低导通电阻
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 低电压栅极驱动负载开关
- 低电压工作电路
- 1.2 V 至 5 V 栅极驱动
- SI8483DB-T2-E1
- SQ2308CES-T1_GE3
- SI4401BDY-T1-E3
- SI5902BDC-T1-GE3
- SI5476DU-T1-GE3
- SI1077X-T1-GE3
- SI1016X-T1-GE3
- SISA04DN-T1-GE3
- SI7101DN-T1-GE3
- IRFU310PBF
- DG409LEDQ-T1-GE3
- DG408LEDQ-T1-GE3
- NTCS0603E3103FLT
- TFPT0805L1001FV
- EGL41G-E3/96
- VS-8EWL06FNTR-M3
- PTCSL03T091DT1E
- MMSZ4697-E3-08
- BZT52C5V1-E3-08
- NTCLE203E3104GB0
- LL4150GS18