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PCB/SMT 工业品

SI1016X-T1-GE3实物图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI1016X-T1-GE3

1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:600mA

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描述: 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 2000 V ESD 保护。占用空间小。高端开关。低导通电阻：N 沟道 0.7 Ω，P 沟道 1.2 Ω。应用：替代数字晶体管、电平转换器。电池供电系统
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI1016X-T1-GE3
商品编号: C142570
商品封装: SOT-563
包装方式: 编带
商品毛重: 0.052克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	600mA
	导通电阻(RDS(on))	2.7Ω@1.8V,150mA
	耗散功率(Pd)	280mW
	阈值电压(Vgs(th))	1V@250uA

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