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SI5902BDC-T1-GE3

2个N沟道耐压:30V 电流:4A

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描述: 双N沟道,30V,4A,0.065Ω@10V
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI5902BDC-T1-GE3
商品编号: C142562
商品封装: ChipFET1206-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.075克(g)

商品参数

商品概述

采用无引脚1206 - 8封装的全新Vishay Siliconix ChipFET与常用的1206 - 8电阻器和电容器外形相同，但具备真正功率半导体器件的所有性能。1206 - 8 ChipFET与LITTLE FOOT® TSOP - 6的主体尺寸相同，从电路板面积的可视化角度来看，可将其视为无引脚的TSOP - 6，但它的热性能可与大得多的SO - 8相媲美。

商品特性

根据IEC 61249 - 2 - 21定义为无卤产品
TrenchFET®功率MOSFET
符合RoHS指令2002/95/EC

应用领域

便携式应用的负载开关
DC/DC转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	4A
	导通电阻(RDS(on))	100mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	3.12W
	阈值电压(Vgs(th))	3V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	7nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-