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SQ2389ES-T1_GE3实物图
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SQ2389ES-T1_GE3

1个P沟道 耐压:40V 电流:4.1A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：TrenchFET功率MOSFET。AEC-Q101合格。100% Rg和UIS测试
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQ2389ES-T1_GE3
商品编号
C142527
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.035克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))84mΩ@10V
耗散功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.2nC@10V
输入电容(Ciss)360pF
反向传输电容(Crss)42pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)80pF

数据手册PDF

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