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SIR158DP-T1-GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIR158DP-T1-GE3

1个N沟道 耐压:30V

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描述
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET，PowerPAK SO-8 Single 封装。PowerPAK 是围绕 SO-8 封装开发的新技术，PowerPAK SO-8 与标准 SO-8 具有相同的占位面积和引脚排列，可直接替代标准 SO-8 封装。作为无引脚封装，它利用整个 SO-8 占位面积，能容纳比标准 SO-8 更大的芯片。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIR158DP-T1-GE3
商品编号
C142530
商品封装
PowerPAK-SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.131克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))2.3mΩ@4.5V,20A
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)130nC@10V
输入电容(Ciss)4.98nF
反向传输电容(Crss)495pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)915pF

数据手册PDF

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