商品概述

P沟道40 V（D-S）MOSFET。PowerPAK是一种解决这些问题的新型封装技术。PowerPAK 1212 - 8在小封装中实现了超低热阻，非常适合空间受限的应用。PowerPAK 1212 - 8封装是PowerPAK SO - 8的派生产品，采用相同的封装技术以最大化芯片面积。芯片附着焊盘底部外露，为器件所安装的基板提供直接的低阻热路径。因此，PowerPAK 1212 - 8将PowerPAK SO - 8的优势融入更小的封装中，同时保持相同的热性能水平。PowerPAK 1212 - 8的占位面积与TSOP - 6相当，比标准TSSOP - 8小40%以上。其芯片容量是标准TSOP - 6的两倍多。它的热性能比SO - 8好一个数量级，比TSSOP - 8好20倍，优于目前所有的表面贴装封装。它能充分利用任何PCB板的散热能力。与TSSOP - 8相比，降低结温还能使芯片效率提高约20%。对于通常仅出于散热考虑而需要更大封装的应用，PowerPAK 1212 - 8是一个不错的选择。单通道和双通道PowerPAK 1212 - 8与单通道和双通道PowerPAK SO - 8采用相同的引脚排列。PowerPAK 1.05 mm的低高度外形使其两个版本都非常适合空间受限的应用。

商品特性

沟槽式场效应功率MOSFET
100% Rq和UIS测试
符合RoHS标准
无卤素

应用领域

笔记本电脑和移动计算设备-适配器开关-负载开关-DC/DC转换器-电源管理

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	35A
	导通电阻(RDS(on))	16mΩ@4.5V,10A
	耗散功率(Pd)	3.7W
	阈值电压(Vgs(th))	2.3V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	41.5nC@10V
	输入电容(Ciss)	4.37nF
	反向传输电容(Crss)	285pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	300pF

SIS443DN-T1-GE3

商品参数

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