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SIJ478DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:60A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJ478DP-T1-GE3
- 商品编号
- C142534
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V,54A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.855nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 950pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 原边开关
- 同步整流
- DC/AC逆变器
- LED背光
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