SIS410DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:35A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS410DN-T1-GE3
- 商品编号
- C141627
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义,无卤
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-DC/DC 转换器-笔记本电脑-负载点 (POL)
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- TSOP38238
- S9012(RANGE:190-300)
- S9012(RANGE:112-166)
- S8050(RANGE:120-200)
- SS8050(RANGE:120-200)
- S8550(RANGE:160-300)
- S8550(RANGE:120-200)
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- RC0603JR-072M7L
- RC0603JR-073M3L
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