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SIA456DJ-T1-GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIA456DJ-T1-GE3

1个N沟道 耐压:200V 电流:2.6A

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描述
特性：无卤。 TrenchFET功率MOSFET。 新型热增强型PowerPAK SC-70封装。 小封装面积。 低导通电阻。应用：便携式设备的升压转换器
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIA456DJ-T1-GE3
商品编号
C141631
商品封装
PowerPAK-SC-70-6​
包装方式
编带
商品毛重
5.45克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)2.6A
导通电阻(RDS(on))3.5Ω@1.8V,0.5A
耗散功率(Pd)19W
阈值电压(Vgs(th))1.4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)-

数据手册PDF

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