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TK55S10N1,LQ
1个N沟道 耐压:100V 电流:55A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK55S10N1,LQ
- 商品编号
- C141625
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 157W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.52nF |
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 5.5 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
- 增强型:Vth = 2.0至4.0 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)
应用领域
- 汽车领域
- 开关稳压器
- 电机驱动器