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TK55S10N1,LQ实物图
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TK55S10N1,LQ

1个N沟道 耐压:100V 电流:55A

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品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TK55S10N1,LQ
商品编号
C141625
商品封装
TO-252-2(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)55A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V,27.5A
耗散功率(Pd)157W
阈值电压(Vgs(th))4V@0.5mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)49nC@10V
输入电容(Ciss)3.28nF
反向传输电容(Crss)210pF
工作温度-
类型-
输出电容(Coss)1.52nF

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