温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SUD19N20-90-E3
1个N沟道 耐压:200V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 175℃结温。 PWM优化。 100% Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD19N20-90-E3
- 商品编号
- C141618
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.528克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@6V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 结温175 °C
- 脉宽调制（PWM）优化
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关
- N沟道MOSFET
相似推荐
其他推荐
- SI7148DP-T1-E3
- SI7123DN-T1-GE3
- SUD50P04-09L-E3
- SIS410DN-T1-GE3
- SI4599DY-T1-GE3
- SIA456DJ-T1-GE3
- SI2312CDS-T1-GE3
- SQ2303ES-T1_GE3
- SI2333DS-T1-E3
- SI4936ADY-T1-E3
- SI1469DH-T1-E3
- SQ2389ES-T1_GE3
- SI7456DP-T1-E3
- SIR158DP-T1-GE3
- SI7850DP-T1-GE3
- SIJ478DP-T1-GE3
- SIA923AEDJ-T1-GE3
- SIHD6N62E-GE3
- SI7923DN-T1-E3
- SI2307CDS-T1-E3
- SIS443DN-T1-GE3