温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIA975DJ-T1-GE3
2个P沟道 耐压:12V 电流:4.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA975DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C141597
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.8V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 7.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟道型场效应晶体管（TrenchFET）功率 MOSFET
- 新型热增强型 PowerPAK SC-70 封装
- 占用面积小
- 低导通电阻
- 100% 进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备和游戏机的负载开关、功率放大器（PA）开关和电池开关
相似推荐
其他推荐
- SI5515CDC-T1-GE3
- SQJ479EP-T1_GE3
- SI7430DP-T1-E3
- SIB452DK-T1-GE3
- SISS98DN-T1-GE3
- SIA429DJT-T1-GE3
- SI4904DY-T1-E3
- SUD19N20-90-E3
- SI7148DP-T1-E3
- SI7123DN-T1-GE3
- SUD50P04-09L-E3
- SIS410DN-T1-GE3
- SI4599DY-T1-GE3
- SIA456DJ-T1-GE3
- SI2312CDS-T1-GE3
- SQ2303ES-T1_GE3
- SI2333DS-T1-E3
- SI4936ADY-T1-E3
- SI1469DH-T1-E3
- SQ2389ES-T1_GE3
- SI7456DP-T1-E3