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TPH4R008NH,L1Q
1个N沟道 耐压:80V 电流:60A
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- 描述
- 特性：小而薄的封装。高速开关。小栅极电荷：Qsw = 18 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）。低泄漏电流：IDss = 10 μA（最大值）（VDS = 80 V）。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V （ΔVDS = 10 V，ID = 1.0 mA）。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH4R008NH,L1Q
- 商品编号
- C141587
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 小型薄封装
- 高速开关
- 栅极电荷小：QSW = 18 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 漏电流低：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 80 V）
- 增强型：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）
应用领域
- DC-DC 转换器-开关稳压器-电机驱动器