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SI7106DN-T1-E3
1个N沟道 耐压:20V 电流:19.5A
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- 描述
- 特性：有无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。 新型低热阻PowerPAK封装，高度仅1.07 mm。 针对PWM进行了优化。 100%进行Rg测试。应用：同步整流
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7106DN-T1-E3
- 商品编号
- C141589
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@2.5V,15.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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