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SI2314EDS-T1-E3
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.77A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2314EDS-T1-E3
- 商品编号
- C141593
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@1.8V,4.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@0.00025A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 静电防护：3000 V
应用领域
- 锂电池保护
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