FDH038AN08A1
1个N沟道 耐压:75V 电流:22A 电流:80A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDH038AN08A1
- 商品编号
- C898139
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A；22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 450W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.665nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET II非常适用于软开关和硬开关拓扑，如高压全桥和半桥DC - DC、交错式升压PFC、混合动力汽车（HEV）和电动汽车（EV）的升压PFC。SUPERFET II FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可减少额外元件，提高系统可靠性。
商品特性
- RDS(ON) = 3.5 mΩ(典型值),VGS = 10 V,ID = 80 A
- Qg(tot) = 125 nC(典型值),VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源