FDMC2D8N025S
1个N沟道 耐压:25V 电流:124A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC2D8N025S
- 商品编号
- C890929
- 商品封装
- Power-33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 124A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V,28A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 47W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.615nF@13V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款指定 2.5V 的 P 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大限度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。 这些器件专为在极小的占位面积内实现出色的功率耗散而设计，适用于不适合使用较大封装的应用场景。
商品特性
- 栅源电压为 -4.5V、漏极电流为 -4.0A 时，最大漏源导通电阻 = 65 mΩ
- 栅源电压为 -2.5V、漏极电流为 -3.2A 时，最大漏源导通电阻 = 100 mΩ
- 开关速度快
- 栅极电荷低（典型值为 11nC）
- 高性能沟槽技术，可实现极低的漏源导通电阻
- SuperSOT-6 封装：占位面积小（比标准 SO-8 小 72%）；厚度薄（1mm）
- 引脚无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
-负载开关-电池保护-电源管理