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FCMT080N65S3
1个N沟道 耐压:650V 电流:38A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，它采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计实施更加简便
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCMT080N65S3
- 商品编号
- C890865
- 商品封装
- TDFN-4(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,19A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.765nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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