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FDG6304P
2个P沟道 耐压:25V 电流:410mA
- 描述
- 此类双 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管使用高单元密度的 DMOS 专属工艺生产。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG6304P
- 商品编号
- C890884
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 410mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 62pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些双P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺特别针对最小化导通电阻进行了优化。该器件专为低压应用而设计，可替代双极型数字晶体管和小信号MOSFET。
商品特性
- 25 V,-0.41 A连续电流,-1.5 A峰值电流
- VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 1.1 Ω
- VGS = -2.7 V时,RDS(ON) = 1.5 Ω
- 极低的栅极驱动要求,允许在3 V电路中直接工作(VGS(th)<1.5 V)
- 栅源齐纳二极管,具备出色的ESD耐受性(人体模型>6 kV)
- 紧凑的行业标准SC70 - 6表面贴装封装
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准