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FDG6304P
2个P沟道 耐压:25V 电流:410mA
- 描述
- 此类双 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管使用高单元密度的 DMOS 专属工艺生产。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG6304P
- 商品编号
- C890884
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 410mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@4.5V,410mA | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 62pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 50 个)个
起订量：50 个3000个/圆盘
总价金额：
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