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FDMA1024NZ
2个N沟道 耐压:20V 电流:5A
- 描述
- 此器件专门设计为手机和其他超便携应用中双开关要求的单封装解决方案。它具有两个独立的 N 沟道 MOSFET，且均具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA1024NZ
- 商品编号
- C890891
- 商品封装
- MicroFET-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件专为满足蜂窝手机及其他超便携式应用中的双路开关需求而设计,采用单封装解决方案。其特点是集成两个独立的N沟道MOSFET,导通电阻低,可将传导损耗降至最低。 MicroFET 2X2封装在其物理尺寸下具有出色的热性能,非常适合线性模式应用。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V、ID = 5.0 A时,最大rDS(on) = 54 mΩ
- 在VGS = 2.5 V、ID = 4.2 A时,最大rDS(on) = 66 mΩ
- 在VGS = 1.8 V、ID = 2.3 A时,最大rDS(on) = 82 mΩ
- 在VGS = 1.5 V、ID = 2.0 A时,最大rDS(on) = 114 mΩ
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级 = 1.6 kV
- 新型MicroFET 2x2 mm封装,低外形,最大高度0.8 mm
- 符合RoHS标准
- 不含卤化化合物和氧化锑
应用领域
- 基带开关
- 负载开关
- DC-DC转换