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FDMB3800N
2个N沟道 耐压:30V 电流:4.8A
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- 描述
- 此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适合最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于需要线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMB3800N
- 商品编号
- C890914
- 商品封装
- MLP-8(1.9x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 465pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过专门调整，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。 这些器件非常适合需要低线路功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 4.8 A时,最大rDS(on) = 40 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 4.3 A时,最大rDS(on) = 51 mΩ
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的rDS(on)
- 具备高功率和高电流处理能力
- 符合RoHS标准