FDMC15N06
1个N沟道 耐压:55V 电流:2.4A 电流:15A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这些N沟道功率MOSFET采用创新的UItraFET工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC15N06
- 商品编号
- C890925
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A；2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.3W；35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而实现出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，且二极管的反向恢复时间和存储电荷极低。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- RDS(on) = 75 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 15 A
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理