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FDMC007N08LCDC
1个N沟道 耐压:80V 电流:64A
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- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 使用先进的 PowerTrench工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC007N08LCDC
- 商品编号
- C890917
- 商品封装
- PQFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.07nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道中压（MV）MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench工艺制造。该工艺经过优化，可在实现极低导通电阻的同时，凭借同类最佳的软体二极管保持出色的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 22 A时，最大RDS(on) = 6.8 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 18 A时，最大RDS(on) = 11.1 mΩ
- 支持5 V驱动
- 反向恢复电荷（Qrr）比其他MOSFET供应商的产品低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰（EMI）
- 采用MSL1高可靠性封装设计
- 经过100%单脉冲非钳位感性负载（UIL）测试
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
- 主直流-直流（DC-DC）MOSFET
- 直流-直流（DC-DC）和交流-直流（AC-DC）同步整流器
- 电机驱动
- 太阳能