温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMC012N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:35A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC012N03
- 商品编号
- C890921
- 商品封装
- Power-33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 64W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.183nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 132pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过专门设计，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 35 A的条件下，最大rDS(on) = 1.23 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 32 A的条件下，最大rDS(on) = 1.46 mΩ
- 采用高性能技术，实现极低的rDS(on)
- 引脚无铅
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换